(文章来源:中国电源学会)
中国已经成为半导体市场需求规模全球第一的国家。根据ICInsights的数据,中国的半导体市场需求已占到全球市场需求的30%左右。从目前的产能情况来看,12英寸晶圆产能中国的缺口较大。ICInsights的数据是,台湾和韩国掌握了全球56%的12英寸晶圆产能,而中国大陆厂商仅掌握全球不到1%的12英寸晶圆产能,位于中国大陆(包括外商独资)的12英寸晶圆产能则有8%。庞大的市场需求,加上制程技术的局限性,让中国大陆成为投资半导体制造的新热门。
2014年底终于见到28nm工艺营收曙光的台联电,在台湾经济部确定没有技术外流疑虑等条件下,经过了审查,确定登陆中国大陆,投资合建一个新的12英寸晶圆厂。项目将采用40与55nm制程,预计正式投产后将每月生产12寸晶圆5万片。
“这是中国第一条合资建设的12英寸生产线,”半导体产业研究专家莫大康表示,“尽管联电拿出的是55/40纳米技术,但是它负责运行,因此技术,订单等都不担心。而且联电总体上技术全面胜过我们,有中国学习的地方,从双蠃的角度看,也会改变未来两岸合作的态势。”
在技术和市场占有率上更为先进的台积电,目前仅在上海有一座8寸晶圆厂,也同样正在考虑在大陆投资12英寸晶圆厂,并以28nm制程切入。但由于台湾政府要求,前往大陆投资的半导体晶圆厂必须依照“N-2”(落后台湾两代制程)的规定,台积电投建12英寸晶圆厂的计划预计最快于2016实现,并且相关产能将低于台积电总产能的10%。
此前,华虹集团旗下的纯12英寸晶圆代工厂——华力微电子早已传出将砸约195亿元,再盖新12英寸厂,并预计锁定先进制程,从28nm制程开始,按照28nm到16/14nm再到10nm三个世代制程技术的规划,达到月产能约3万~5万片。武汉新芯也已与全球最大闪存公司美国飞索半导(Spansion)正式签约,计划合资兴建12英寸晶圆厂,联合研发生产3DNAND(三维闪存芯片)。
截止目前,在中国大陆已经建成的本土12英寸晶圆厂共5家,包括中芯国际在上海的一座300mm芯片厂、北京的两座300mm芯片厂,华力微电子在上海的一座300mm芯片厂和武汉新芯在武汉的一座300mm芯片厂;外商独资的12英寸晶圆厂包括英特尔在大连的一座300mm芯片厂,海力士(Hynix)在无锡的一座300mm芯片厂和三星在西安的一座300mm芯片厂。
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