技术实力：

目前已开发完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面栅和沟槽栅IGBT系列产品以及配套FRD产品，15A/600V场截止型沟槽栅IGBT产品，已完成2500V，3300V，4500V和6500V系列IGBT芯片样品的开发，其中6500V IGBT芯片样品的击穿电压达到7100V以上。正在进一步优化相关参数，拓展产品规格，目标是形成600V-6500V全系列IGBT产品。

IGBT器件结构：

(a) 沟槽栅穿通型Trench+PT             (b) 平面栅非穿通型Planar+NPT
(c) 沟槽栅非穿通型Trench+NPT        (d) 平面栅场截止型Planar+FS
(e) 沟槽栅场截止型Trench+FS          (f) 载流子存储层沟槽栅场截止型Trench+CS+FS