KWNFP75R12NS3_B
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
低通态损耗（VCE=2.0V）
低关断损耗 (Eoff=5.10mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
低通态损耗（VCE=2.0V）
低关断损耗 (Eoff=5.10mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES (V) | IC @ 100℃ (A) | VCE(sat) @25℃ typ (V) | tf (typ) (ns) | Eoff @25℃ typ (mJ) | Vf @25℃ typ（V） | 推 荐 应 用 |
KWNFP75R12NS3_B | Power Modules | L2(对应KT3) | Fast | 1200 | 75 | 2.0 | 56 | 5.10 | 2.05 | 通用变频器 |
