KWFFP10R12NS3
特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*IC）
低通态损耗（VCE=1.90V）
低关断损耗 (Eoff=0.50mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
采用外延扩铂FRD芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性
100% RBSOA测试（2*IC）
低通态损耗（VCE=1.90V）
低关断损耗 (Eoff=0.50mJ)
高短路耐量（>10us）
无铅，符合RoHS
详细参数
Type | Family | Package | Switching Speed | VCES | IC | VCE(sat) | tf (typ) (ns) | Eoff | Vf | 推 荐 应 用 |
(V) | @ 100℃ (A) | @25℃ typ (V) | @25℃ typ (mJ) | @25℃ typ（V） | ||||||
KWFFP10R12NS3 | Power Modules | L5 | Fast | 1200 | 10 | 1.90 | 121 | 0.50 | 1.90 | 通用变频器 |
