专利清单列表如下:
序号 | 专利名称 | 发明类型 | 申请号 |
1 | 超结的制作方法 | 发明专利 | 201210519863.0 |
2 | 逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法 | 201310102479.5 | |
3 | 一种功率半导体器件及其形成方法 | 201310025255.9 | |
4 | 一种IGBT器件及其形成方法 | 201210499322.6 | |
5 | 一种IGBT器件及其制作方法 | 201210418809.7 | |
6 | 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法 | 201210370720.8 | |
7 | 采用质子辐照制备终端结构的方法 | 201210370852.0 | |
8 | FRD的制备方法 | 201210371807.7 | |
9 | 一种IGBT结构及其制作方法 | 201310087246.2 | |
10 | 用于半导体功率器件的终端 | 201210371127.5 | |
11 | 一种逆导型IGBT器件及其形成方法 | 201210500942.7 | |
12 | 一种逆导型IGBT器件 | 201210501722.6 | |
13 | IGBT器件及其制作方法 | 201210426232.4 | |
14 | 一种IGBT及其制作方法 | 201210530076.6 | |
15 | 一种绝缘栅双极型晶体管 | 201210526368.2 | |
16 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | 201210526416.8 | |
17 | 一种绝缘互联散热板及功率模块 | 201210418921.0 | |
18 | 一种半导体器件及其制作方法 | 201210506054.6 | |
19 | 一种功率器件的制备方法 | 201310086257.9 | |
20 | 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法 | 201310085560.7 | |
21 | 一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法 | 201210540050.X | |
22 | PIN超结结构 | 201310085640.2 | |
23 | 一种沟槽型IGBT及其制造方法 | 201210540052.9 | |
24 | 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 | 201310085577.2 | |
25 | 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 | 201310086213.6 | |
26 | 一种增强微穿通型IGBT | 201210540053.3 | |
27 | 一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法 | 201310086221.0 | |
28 | 功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法 | 201310085533.X | |
29 | EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法 | 201310085535.9 | |
30 | 一种电场阻断型IGBT结构的制备方法 | 201310086227.8 | |
31 | 一种IGBT短路集电极结构的制备方法 | 201310086224.4 | |
32 | 一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 | 201310085624.3 | |
33 | 用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区 | 201310086355.2 | |
34 | 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 | 201210524694.X | |
35 | 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法 | 201210526482.5 | |
36 | 逆导型IGBT的制备方法 | 201210526292.3 | |
37 | 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 | 201310086262.X | |
38 | 一种平面型IGBT结构的制备方法 | 201310085579.1 | |
39 | 一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管及其形成方法 | 201210519798.1 | |
40 | RC-IGBT及其制作方法 | 201210519817.0 | |
41 | IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法 | 201210520131.3 | |
42 | ITC-IGBT及其制作方法 | 201210519402.3 | |
43 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | 201310058786.8 | |
44 | IGBT及其制作方法 | 201210509411.4 | |
45 | 一种穿通型IGBT及其制作方法 | 201210510311.3 | |
46 | 一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法 | 201210551729.9 | |
47 | 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 | 201210543954.8 | |
48 | 一种IGBT结构及其制备方法 | 201210526291.9 | |
49 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 | 201210524692.0 | |
50 | 采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法 | 201210421076.2 | |
51 | 钝化半导体接触表面的功率半导体器件的集电极结构及制备方法 | 201210449247.2 | |
52 | 逆导IGBT器件结构及制造方法 | 201210372401.0 | |
53 | 功率半导体器件的背面集电极结构 | 201310013013.8 | |
54 | 逆导IGBT器件及制造方法 | 201210476017.5 | |
55 | 功率半导体器件的集电极结构 | 201310012548.3 | |
56 | 绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构 | 201310013014.2 | |
57 | IGBT集电极结构(发明专利) | 201210494615.5 | |
58 | 一种IGBT集电极结构及其制备方法 | 201310008968.4 | |
59 | 一种高压半导体器件及其终端 | 实用新型 | 201220505060.5 |
60 | 一种半导体功率器件 | 201220652041.5 | |
61 | 一种IGBT | 201220657534.8 | |
62 | 一种半导体器件 | 201220647148.0 | |
63 | 一种中高压IGBT终端 | 201320121922.9 | |
64 | 一种IGBT的版图布局 | 201320121908.9 | |
65 | 绝缘栅型双极晶体管 | 201320123024.7 | |
66 | 一种有源区金属与终端区形成电连接的版图 | 201320121934.1 | |
67 | 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 | 201320121865.4 | |
68 | 一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽 | 201220688948.7 | |
69 | 一种逆导型IGBT的背面版图布局 | 201220689587.8 | |
70 | 一种IGBT版图 | 201220587115.1 | |
71 | 一种IGBT版图 | 201220586619.1 | |
72 | 一种IGBT版图 | 201220652972.5 | |
73 | 一种IGBT功率模块测试夹具 | 201220672107.7 | |
74 | 用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置 | 201320024327.3 | |
75 | 用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置 | 201320024496.7 | |
76 | 一种适用于dummy-trench功率器件的版图 | 201220702762.2 | |
77 | 一种沟槽型IGBT版图结构 | 201220674679.9 | |
78 | 一种IGBT版图 | 201220672867.8 | |
79 | 一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置 | 201220589990.3 | |
80 | 塑封引线框架 | 201220641901.5 | |
81 | IGBT背面集电极结构 | 201320013251.4 | |
82 | IGBT芯片版图布局结构 | 201320012538.5 | |
83 | 超结的制作方法 | PCT | PCT/CN2012/085993 |
84 | RB-IGBT的制作方法 | PCT/CN2012/085995 | |
85 | 一种功率半导体器件及其形成方法 | PCT/CN2012/083826 | |
86 | 用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法 | PCT/CN2012/088087 | |
87 | 一种高压超结IGBT的制作方法 | PCT/CN2012/088053 | |
88 | 一种TI-IGBT及其形成方法 | PCT/CN2012/086016 | |
89 | RC-IGBT及其制作方法 | PCT/CN2012/086018 | |
90 | IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法 | PCT/CN2012/085999 | |
91 | ITC-IGBT及其制作方法 | PCT/CN2012/086001 | |
92 | 一种IGBT结构及其制备方法 | PCT/CN2012/088110 |
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